STGB30H65DFB2 ST Transistor 30 A de haute vitesse de la série HB2 IGBT D2PAK-3
Fabricant: STMicroelectronics
Catégorie du produit: Transistors IGBT
Technologie: Si
Mode de montage: SMD/SMT
Configuration: unique
Voltage maximal du collecteur-émetteur VCEO: 650 V
Voltage de saturation du collecteur-émetteur: 1,65 V
Voltage maximal de la porte/émetteur: - 20 V, 20 V
Courant continu du collecteur à 25 C: 50 A
Dissipation de puissance Pd: 167 W
Température minimale de fonctionnement: - 55 °C
Température de fonctionnement maximale: + 175 °C
Emballage: rouleau
Emballage: ruban adhésif
Le paquet: MouseReel
Marque: STMicroélectronique
Type de produit: Transistors IGBT
Quantité du colis: 1000 pièces
Sous-catégorie: IGBT
Unité de poids: 1,380 g
