Transistor IGBT 15A à haute vitesse TO-247
Fabricant: STMicroelectronics
Catégorie du produit: Transistors IGBT
Technologie: Si
Résultats de l'enquête
Mode de montage: à travers le trou
Configuration: unique
Voltage maximal du collecteur-émetteur VCEO: 1,2 kV
Voltage de saturation du collecteur-émetteur: 2,1 V
Voltage maximal de la porte/émetteur: - 20 V, 20 V
Courant continu du collecteur à 25 C: 30 A
Dissipation Pd-puissance: 259 W
Température minimale de fonctionnement: - 55 °C
Température de fonctionnement maximale: + 175 °C
Série: STGW15H120DF2
Emballage: tube
Marque: STMicroélectronique
Collecteur courant continu maximal Ic: 15 A
Courant de fuite du porte-émetteur: 250 nA
Type de produit: Transistors IGBT
Quantité du colis: 600 pièces
Sous-catégorie: IGBT
Poids unitaire: 38 g

