STGF20H65DFB2 ST Transistor 20 A de série HB2 à haute vitesse IGBT TO-220FP
Fabricant: STMicroelectronics
Catégorie du produit: Transistors IGBT
Technologie: Si
Mode de montage: à travers le trou
Configuration: unique
Voltage maximal du collecteur-émetteur VCEO: 650 V
Voltage de saturation du collecteur-émetteur: 1,65 V
Voltage maximal de la porte/émetteur: - 20 V, 20 V
Courant continu du collecteur à 25 °C: 40 A
Dissipation de puissance Pd: 45 W
Température minimale de fonctionnement: - 55 °C
Température de fonctionnement maximale: + 175 °C
Emballage: tube
Marque: STMicroélectronique
Type de produit: Transistors IGBT
Quantité du colis: 1000 pièces
Sous-catégorie: IGBT
Poids unitaire: 1,690 g
