FS100R12W2T7BOMA1 SP005351618 Infineon Module d'IGBT PUISSANCE FACILE
FS100R12W2T7
Fabricant : Infineon
Type de produit : Modules d'IGBT
Configuration : 6-Pack
Tension maximum VCEO de collecteur-émetteur : 1,2 kilovolts
Tension de saturation de collecteur-émetteur : 1,5 V
Courant de collecteur continu à 25 C : 70 A
courant de fuite de Porte-émetteur : Na 100
dissipation puissance du palladium : -
La température fonctionnante minimum : - 40 C
Température de fonctionnement maximum : + 175 C
Paquet : Plateau
Tension maximum de porte/émetteur : 20 V
Montage du style : Bâti de châssis
Série : Trenchstop IGBT7
Quantité de emballage : 15 PCS
Sous-catégorie : IGBTs
Technologie : SI