F3L75R12W1H3_B27 SP001056132 Infineon Module d'IGBT PUISSANCE FACILE
F3L75R12W1H3B27BOMA1
Fabricant : Infineon
Type de produit : Modules d'IGBT
Configuration : inverseur triphasé
Tension maximum VCEO de collecteur-émetteur : 1,2 kilovolts
Tension de saturation de collecteur-émetteur : 1,45 V
Courant de collecteur continu à 25 C : 45 A
courant de fuite de Porte-émetteur : Na 100
dissipation puissance du palladium : 275 W
Paquet/boîte : EasyPack1B
La température fonctionnante minimum : - 40 C
La température fonctionnante maximum : + 150 C
Paquet : Plateau
Tension maximum de porte/émetteur : 20 V
Série : IGBT à grande vitesse H3
Quantité de emballage : 24 PCS
Sous-catégorie : IGBTs
Technologie : SI