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FF450R33T3E3BPSA1 Dual IGBT Modules IHV IHM T XHP 3 3-6 5K SP001779538

Doubles IGBT modules IHV IHM T XHP 3 de FF450R33T3E3BPSA1 3-6 5K SP001779538

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    Doubles modules d'IGBT

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    Modules IHV d'IGBT

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    Double IGBT IHM

  • Infineon
    FF450R33T3E3BPSA1
  • Configuration
    Double
  • Tension maximum VCEO de collecteur-émetteur
    3,3 kilovolts
  • Tension de saturation de collecteur-émetteur
    2,5 V
  • Courant de collecteur continu à 25C
    450 A
  • courant de fuite de Porte-émetteur
    Na 400
  • dissipation puissance du palladium
    1000 kilowatts
  • La température fonctionnante minimum
    -40℃
  • La température fonctionnante maximum
    +150℃
  • Emballage
    PCs 1
  • Lieu d'origine
    L'Allemagne
  • Nom de marque
    Infineon
  • Numéro de modèle
    FF450R33T3E3BPSA1
  • Quantité de commande min
    1pcs
  • Prix
    Bargain
  • Détails d'emballage
    Plateau
  • Délai de livraison
    48hours
  • Conditions de paiement
    L/C, T/T
  • Capacité d'approvisionnement
    500 PCS+48hours

Doubles IGBT modules IHV IHM T XHP 3 de FF450R33T3E3BPSA1 3-6 5K SP001779538

 

FF450R33T3E3BPSA1    SP001779538     Infineon    Module IHV IHM T XHP 3 d'IGBT 3-6 5K

 

FF450R33T3E3

 

 

Fabricant : Infineon
Type de produit : Modules d'IGBT
Configuration : Double
Tension maximum VCEO de collecteur-émetteur : 3,3 kilovolts
Tension de saturation de collecteur-émetteur : 2,5 V
Courant de collecteur continu à 25 C : 450 A
courant de fuite de Porte-émetteur : Na 400
dissipation puissance du palladium : 1000 kilowatts
Paquet/boîte : AG-XHP100-3
La température fonctionnante minimum : - 40 C
La température fonctionnante maximum : + 150 C
Paquet : Plateau
Tension maximum de porte/émetteur : 20 V
Montage du style : Bâti de vis
Série : Trenchstop IGBT3 - E3
Quantité de paquet : 1 PCS
Sous-catégorie : IGBTs
Technologie : SI

 

 

Doubles IGBT modules IHV IHM T XHP 3 de FF450R33T3E3BPSA1 3-6 5K SP001779538 0Doubles IGBT modules IHV IHM T XHP 3 de FF450R33T3E3BPSA1 3-6 5K SP001779538 1