Paquet FS150R12KT4_B11 N-CH SP000369616 des modules 6 de 1.2KV 150A IGBT

FS150R12KT4_B11   SP000369616   Infineon   Module N-CH 1.2KV 150A d'IGBT

FS150R12KT4B11BOSA1

Fabricant : Infineon
Type de produit : Modules d'IGBT
Configuration : 6-Pack
Tension maximum VCEO de collecteur-émetteur : 1,2 kilovolts
Tension de saturation de collecteur-émetteur : 1,75 V
Courant de collecteur continu à 25 C : 150 A
courant de fuite de Porte-émetteur : Na 100
dissipation puissance du palladium : 750 W
Paquet/Cabinet : Econo 3
La température fonctionnante minimum : - 40 C
La température fonctionnante maximum : + 150 C
Paquet : Plateau
Taille : 17mm
Longueur : 122mm
Tension maximum de porte/émetteur : 20 V
Montage du style : Bâti de châssis
Série : Trenchstop IGBT4 - T4
Quantité de emballage : 10 PCS
Sous-catégorie : IGBTs
Technologie : SI