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1.1V 450A IGBT Driver Module 6 Pack FS820R08A6P2BBPSA1 SP001499708

paquet FS820R08A6P2BBPSA1 SP001499708 de Module 6 de conducteur de 1.1V 450A IGBT

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    conducteur Module de 1.1V IGBT

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    conducteur Module de 450A IGBT

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    FS820R08A6P2BBPSA1

  • Infineon
    FS820R08A6P2BBPSA1
  • Configuration
    6-Pack
  • Tension maximum VCEO de collecteur-émetteur
    750 V
  • Tension de saturation de collecteur-émetteur
    1.1V
  • Courant de collecteur continu à 25C
    450A
  • courant de fuite de Porte-émetteur
    Na 400
  • dissipation puissance du palladium
    714W
  • La température fonctionnante minimum
    -40℃
  • La température fonctionnante maximum
    +150℃
  • Emballage
    6 PCs
  • Lieu d'origine
    L'Allemagne
  • Nom de marque
    Infineon
  • Numéro de modèle
    FS820R08A6P2BBPSA1
  • Quantité de commande min
    1pcs
  • Prix
    Bargain
  • Détails d'emballage
    Plateau
  • Délai de livraison
    48hours
  • Conditions de paiement
    L/C, T/T
  • Capacité d'approvisionnement
    500 PCS+48hours

paquet FS820R08A6P2BBPSA1 SP001499708 de Module 6 de conducteur de 1.1V 450A IGBT

 

FS820R08A6P2BBPSA1   SP001499708    Infineon   COMMANDE HYBRIDE de PAQUET de module d'IGBT

FS820R08A6P2B

 

Fabricant : Infineon
Type de produit : Modules d'IGBT
Configuration : 6-Pack
Tension maximum VCEO de collecteur-émetteur : 750 V
Tension de saturation de collecteur-émetteur : 1,1 V
Courant de collecteur continu à 25 C : 450 A
courant de fuite de Porte-émetteur : Na 400
dissipation puissance du palladium : 714 W
Paquet/boîte : Module
La température fonctionnante minimum : - 40 C
La température fonctionnante maximum : + 150 C
Paquet : Plateau
Tension maximum de porte/émetteur : 20 V
Montage du style : Bâti de châssis
Série : IGBT EDT2
Quantité de emballage : 6 PCS
Sous-catégorie : IGBTs
Technologie : SI

 

 

paquet FS820R08A6P2BBPSA1 SP001499708 de Module 6 de conducteur de 1.1V 450A IGBT 0paquet FS820R08A6P2BBPSA1 SP001499708 de Module 6 de conducteur de 1.1V 450A IGBT 1